浙江大学2件成果拟转让，现将相关信息予以公示。

[1] 成果名称：一种超级结器件及其终端

完成人：盛况; 王珩宇; 郭清; 任娜; 王策

权利人：浙江大学

成果类型：发明专利

成果号：ZL202011215400.6

成果简介：本发明公开了一种半导体器件及其终端，该半导体器件包括有源区和终端区，所述半导体器件包括位于有源区内的第一柱区、第二柱区和第一电介质柱区，以及位于终端区内的第一终端，所述第一终端包括第三柱区、第四柱区和第二电介质柱区，其中第一柱区和第三柱区均具有第一掺杂类型，第二柱区和第四柱区均具有第二掺杂类型，第三柱区宽度小于第一柱区宽度，第四柱区宽度大于或等于第二柱区宽度，第二电介质柱区宽度大于或等于第一电介质柱区宽度。本发明的结构在实现阻断时终端区呈现负电荷的基础上，调制了终端区负电荷的空间分布，实现了终端区更均匀的电场分布，最终提高了器件终端的耐压。

[2] 成果名称：一种超级结沟槽MOSFET结构及其制造方法

完成人：盛况; 王珩宇; 张弛; 程浩远

权利人：浙江大学

成果类型：发明专利

成果号：ZL202411651336.4

成果简介： 一种超级结沟槽MOSFET结构及其制造方法，属于超结MOSFET技术领域，一种超级结沟槽MOSFET结构，包括N+衬底及元胞第一结构和元胞第二结构；其中，元胞第一结构与元胞第二结构皆呈正六边形；元胞第一结构包括第一N柱区及环绕第一N柱区的第一P柱区，第一N柱区上设置有第一源槽；元胞第二结构包括第二N柱区及环绕第二N柱区的第二P柱区，第二N柱区上设置有第二源槽；若干元胞第二结构围绕元胞第一结构；元胞第二结构还包括栅槽，栅槽与第一源槽之间形成有第一沟道，栅槽与第二源槽之间形成有第二沟道，第一沟道与第二沟道的长度不同。本申请通过设置正六边形密铺的元胞结构，且具有非对称的双沟道，不仅提高了沟道密度，也提供了良好的栅氧保护作用。

转化方式：转让

定价方式：协议定价

转化价格：50万元

关联情况：非关联

公示期自2025年12月2日至2025年12月16日。如有异议，请在公示期内向工业技术转化研究院提交异议书及有关证据。

电话：0571-88982817，邮箱：ott@zju.edu.cn。

工业技术转化研究院

2025年12月2日