浙江大学1件成果拟转让，现将相关信息予以公示。

[1] 成果名称：基于SiC晶圆缺陷分布的电学参数预测方法和装置

完成人：陈正佳; 盛况; 任娜; 徐弘毅; 韦丽明

权利人：浙江大学

成果类型：发明专利

成果号：ZL202511233846.4

成果简介：本申请涉及基于SiC晶圆缺陷分布的电学参数预测方法和装置，包括：获取训练晶圆中每个测试结构的缺陷参数，通过训练晶圆流片后的电学测试获取测试结构电学参数；通过缺陷参数分布以及电学参数构建数据集，对初始晶圆缺陷预测模型进行训练，得到迭代优化的晶圆缺陷预测模型；获取待评估晶圆的实例缺陷参数以及设计版图，将实例缺陷参数以及设计版图输入晶圆缺陷预测模型，得到待评估晶圆中每个设计测试结构的电学参数，其中，该训练晶圆和待评估晶圆为SiC晶圆，解决传统技术中通过人工依靠经验对SiC晶圆的质量进行判断的准确率和整体效率较低的问题，能够晶圆制造前期筛选晶圆的等级，并基于评价指标给出该晶圆适合的制作的SiC器件。

转化方式：转让

定价方式：协议定价

转化价格：20万元

关联情况：非关联

公示期自2026年6月1日至2026年6月15日。如有异议，请在公示期内向技术转化研究院提交异议书及有关证据。

电话：0571-88982817，邮箱：ott@zju.edu.cn。

技术转化研究院

2026年6月1日